Labortechnik und Anlagen
![Wafer in Horizontalofen Wafer in Horizontalofen](/storages/mne-etit/_processed_/e/9/csm_56e68cad01614__cba4e968ea.jpg)
Analytik
![Elektronenstrahllithographiesystem JEOL](/storages/mne-etit/_processed_/a/7/csm_20230217_121422_JEOL_40e2039d39.jpg)
Typ:
Rasterelektronenstrahlmikroskop (REM)
Beschreibung:
Deben Beam Blanker, Kleindiek Nanotechnik Stage, Xenos Pattern Generator, Auflösung bis zu 0,7nm
Kooperation mit Terahertz Spectroscopy Group (AG Lange)
Status:
Voll funktionsfähig
![](/storages/mne-etit/_processed_/1/9/csm_56e68cad01149__3de3c76e66.jpg)
Typ:
Rasterelektronenmikroskop (REM)
Beschreibung:
Bis zu 10 nm Auflösung, InLens und SE-Detektor
Status:
Voll funktionsfähig
![Zeiss-LEO 982](/storages/mne-etit/_processed_/4/c/csm_Leo_4_f5c3142943.jpg)
Typ:
Rasterelektronenmikroskop (REM)
mit PointElectronic Elektronik Upgrade und Raith ELPHY Quantum
Beschreibung:
Bis zu 10 nm Auflösung mit einem 4k Imaging-System und Topologiedarstellung, InLens-, SE- und BSE-Detektor
Status:
Voll funktionsfähig
![Oxford Instrumets EDX-System AZtecEnergy X-Max 150](/storages/mne-etit/_processed_/0/8/csm_Leo_3_51eac1d537.jpg)
Typ:
EDX System
Beschreibung:
Low-KV EDX-System, ≤127eV @ MnKα, Detektion der Elemente ab Beryllium (Z=4)
Status:
Voll funktionsfähig
![](/storages/mne-etit/_processed_/6/6/csm_56e68cad01150__d9a4ea6fd9.jpg)
Typ:
Ellipsometer
Beschreibung:
Schichtdickenmessung und Parameterextraktion
Status:
Voll funktionsfähig
![](/storages/mne-etit/_processed_/0/4/csm_56e68cad01154__335ef29460.jpg)
Typ:
Digitales Lichtmikroskop
Beschreibung:
Bis zu 5000-fache Vergrößerung
Status:
Voll funktionsfähig
Typ:
Systemmikroskop
Beschreibung:
Optisches UIS2/UIS (Universal Infinity System)-System
Status:
Voll funktionsfähig
![](/storages/mne-etit/_processed_/5/7/csm_56e68cad01172__b813176e0f.jpg)
Typ:
Konfokalmikroskop
Beschreibung:
Konfokales Lasermikroskop
Status:
Voll funktionsfähig
![](/storages/mne-etit/_processed_/c/6/csm_56e68cad01190__b4c180c135.jpg)
Typ:
Profilometer
Beschreibung:
Oberflächenprofilometrie
Status:
Voll funktionsfähig
![](/storages/mne-etit/_processed_/5/9/csm_56e68cad01208__64317418a2.jpg)
Typ:
Strukturbreitenmesssystem
Beschreibung:
Laser-Autofokus
Status:
Voll funktionsfähig
![Buried Triple Gate TFET auf Basis einer Kohlenstoffnanoröhre](/storages/mne-etit/_processed_/4/c/csm_S421B4_Kon_DBL_02_9a4d961231.png)
Elektrische Messtechnik
![](/storages/mne-etit/_processed_/7/d/csm_56f1088ba425b__cca9e80b49.jpg)
Typ:
4-Spitzen-Messplatz
Beschreibung:
Flächenwiderstandsmessung auf Probenstücken und Wafern
Status:
Voll funktionsfähig
![](/storages/mne-etit/_processed_/0/b/csm_56e68cad01226__41e568261b.jpg)
Typ:
Spitzenmessplatz
Beschreibung:
Lichtgeschützter Aufbau mit Vakuum-Chuck (8 Messnadeln)
Status:
Voll funktionsfähig
![](/storages/mne-etit/_processed_/e/7/csm_56e68cad01244__97093633bc.jpg)
Typ:
Parameter Analyser
Beschreibung:
Precision Semiconductor Paramter Analyzer
Status:
Voll funktionsfähig
Typ:
Waferprober
Beschreibung:
Vollautomatischer Waferprober zur statistischen Vermessung von Bauelementeparametern
Status:
Voll funktionsfähig
![ARS-10HW Cryo Probestation](/storages/mne-etit/_processed_/6/9/csm_Kryo_3_6474aa96c2.jpg)
Typ:
Probestation für Tiefsttemperaturmessung
Beschreibung:
Closed Cycle Cryogenic Probe Station, Heliumkompressor, Beryllium DC probe Tips
Status:
Voll funktionsfähig
![Everbeing BD-6](/storages/mne-etit/_processed_/f/3/csm_Everbeing_2_3c6d9771df.jpg)
Typ:
RF-Waferprober
Beschreibung:
HF Messung bis 40GHz, Temperatur bis 200°C, ausschließlich metrische Schrauben
Status:
Voll funktionsfähig
![Fotolack-Resist nach Reaktivem Ionenätzen](/storages/mne-etit/_processed_/8/3/csm_head4_kontrast_6796d8fd58.png)
Ätzanlagen
![Oxford PlasmaPro 100 ICP Gaspod und End-Point Detektor](/storages/mne-etit/_processed_/3/4/csm_auswahl_2_968f42622a.jpg)
Typ:
Inductive Coupled Plasma (ICP), Reaktives Ionenätzen (RIE)
Beschreibung:
12 verschiedene Gaslinien, Fluor- Chlor und Brom-Prozesse, End-Point Detektion
Status:
Inbetriebnahme
Typ:
Inductive Coupled Plasma (ICP), Reaktives Ionenätzen (RIE)
Beschreibung:
Fluor- und Chlor-Prozesse
Status:
Inbetriebnahme
![](/storages/mne-etit/_processed_/4/d/csm_56e68cad01300__7d08bea894.jpg)
Typ:
Reaktives Ionenätzen (RIE)
Beschreibung:
Chlorprozesse: SF6, Cl2, CHF4, SiCl4, N2; Fluorprozesse:SF6, O2, Ar, CHF3, N2
Status:
Voll funktionsfähig
![](/storages/mne-etit/_processed_/f/2/csm_56e68cad01318__64ba2ef85c.jpg)
Typ:
Reaktives Ionenätzen (RIE)
Beschreibung:
Fluorprozesse: SF6, O2, Ar, CHF3, N2
Status:
Voll funktionsfähig
![](/storages/mne-etit/_processed_/b/3/csm_56e68cad01336__a602d79b74.jpg)
Typ:
Plasmaverascher
Beschreibung:
Ätzen im Sauerstoffplasma, maximal 8 Zoll Wafer
Status:
Voll funktionsfähig
Implantations- und Dotierungstechnologie
![](/storages/mne-etit/_processed_/5/0/csm_56e68cad01356__f0f67dd6a5.jpg)
Typ:
Ionenimplanter
Beschreibung:
Dotierung mit einer Flächendosis von bis zu 10e16 cm-2 und max. 350 keV.
Verfügbare Ionenquelle: High Voltage Engineering Gasquelle SO-70 und Danfysik Feststoffquelle SO-55 für unter anderem B-, P-, As-Verbindungen, HVE Sputterquelle SO-90 für Al-, Cr, Fe, Ge und Er.
Status:
Voll funktionsfähig
![Memory Array für Associative Capacitive Networks Memory Array für Associative Capacitive Networks](/storages/mne-etit/_processed_/3/0/csm_STa4_a12d748086.jpg)
Lithografie
![](/storages/mne-etit/_processed_/b/3/csm_56e68cad01412__53f699a07e.jpg)
Typ:
Elektronenstrahllithografie
Beschreibung:
Strukturgrößen bis zu 10 nm auf Die-Substraten, Laserinterferometer gesteuertes Stitching
Status:
Voll funktionsfähig
![Zeiss-LEO 982](/storages/mne-etit/_processed_/e/7/csm_Leo_2_ad75e7b6c2.jpg)
Typ:
Elektronenstrahllithografie
Beschreibung:
mit PointElectronic Elektronik Upgrade und Raith ELPHY Quantum Lithografie-Erweiterung, Strukturgrößen bis zu 10 nm auf Die-Substraten
Status:
Voll funktionsfähig
![Elektronenstrahllithographiesystem JEOL](/storages/mne-etit/_processed_/a/7/csm_20230217_121422_JEOL_40e2039d39.jpg)
Typ:
Elektronenstrahllithographie
Beschreibung:
Deben Beam Blanker, Kleindiek Nanotechnik Stage, Xenos Pattern Generator, Auflösung bis zu 0,7nm
Kooperation mit:
Terahertz Spectroscopy Group (AG Lange)
Status:
Voll funktionsfähig
Typ:
Direktbelichter
Beschreibung:
300 nm minimale Strukturauflösung
Status:
Wird gewartet
![](/storages/mne-etit/_processed_/2/d/csm_56e68cad01376__869c387dd1.jpg)
Hersteller/Typ:
Optisches Belichtungssystem
Beschreibung:
Strukturweiten bis 0,6 um auf 4 Zoll-Substrat
Status:
Voll funktionsfähig
![](/storages/mne-etit/_processed_/1/c/csm_56e68cad01394__ebddc03119.jpg)
Typ:
Optisches Belichtungssystem
Beschreibung:
Strukturweiten bis 0,6 um auf 4 Zoll-Substrat
Status:
Voll funktionsfähig
![](/storages/mne-etit/_processed_/a/1/csm_56e68cad01448__6270eea323.jpg)
Typ:
Belackungssystem, Spincoater
Beschreibung:
Bis 200 mm Wafer bei 0 - 12000 UPM
Status:
Voll funktionsfähig
Typ:
Belackungssystem Spincoater
Beschreibung:
Bis 200 mm Wafer bei 0 - 12000 UPM (Silikone)
Status:
Voll funktionsfähig
![Auf Siliziumsubstrat abgeschiedene Hafniumschicht](/storages/mne-etit/_processed_/3/a/csm_head3_kontrast_69b4de496e.png)
Schichterzeugung
Typ:
Atomic Layer Deposition
Beschreibung:
Thermische ALD bis 500°C, Glovebox, Picozone™ PZ-100 ozone generator,
Status:
Voll funktionsfähig
![](/storages/mne-etit/_processed_/b/1/csm_56e68cad01524__a37db0abee.jpg)
Typ:
Plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung (PECVD)
Beschreibung:
Schichtenerzeugung mittels chemischer Gasphasenabscheidung
Status:
Voll funktionsfähig
![](/storages/mne-etit/_processed_/c/6/csm_56e68cad01560__97e2b72c87.jpg)
Typ:
Reaktive Magnetron-Sputteranlage
Beschreibung:
Physikalische Abscheidung von Schichten (u.a. Al, Ti [ TiN reaktiv], Ni, Si)
Status:
Voll funktionsfähig
![](/storages/mne-etit/_processed_/1/0/csm_56e68cad01578__b7c8855ee6.jpg)
Typ:
Reaktive Magnetron-Sputteranlage (DC/HF) mit Plasma-Emissionsmonitor (PEM)
Beschreibung:
Abscheidung von ITO, Lanthanhexaborid, Samarium, Yttrium, Bismuttellurid, Niob(-oxid) und Hafnium(-oxid)
Status:
Voll funktionsfähig
![Konstruktionszeichnung FHR Star75_PentaCo](/storages/mne-etit/_processed_/1/b/csm_fhr_star75_pentaco_d9f44f2d55.jpg)
Typ:
Konfokales DC/RF Magnetron-Sputter-System mit Plasma-Emissionsmonitor (PEM)
Beschreibung:
Abscheidung von Chrom, Niob(-oxid) und Hafnium(-oxid) sowie weiteren Materialien
Status:
- beauftragt -
![](/storages/mne-etit/_processed_/a/0/csm_56e68cad01596__a096eb4ae0.jpg)
Typ:
Aufdampfanlage
Beschreibung:
Al- und Cr-Target vorhanden
Status:
Voll funktionsfähig
![](/storages/mne-etit/_processed_/e/9/csm_56e68cad01614__8e517e91f9.jpg)
Typ:
Diffusions- und Oxidationsöfen
Beschreibung:
Oxidation (nass und trocken), H2 und N2 Temperung
Status:
Voll funktionsfähig
Typ:
Low Pressure Chemical Vapour Deposition (LPCVD), Diffusions- und Oxidationsöfen
Beschreibung:
LPCVD, Oxidation (nass und trocken), H2 und N2 Temperung, Temperatur bis 1250°C
Status:
Voll funktionsfähig
![In TMAH strukturierte Siliziumoberfläche In TMAH strukturierte Siliziumoberfläche](/storages/mne-etit/_processed_/a/e/csm_2018-12-20_10_05695a3ba2.png)
Nassbänke
![](/storages/mne-etit/_processed_/8/b/csm_56e68cad01468__2ec0df1aeb.jpg)
Typ:
Nassätzbank
Beschreibung:
Nassätzprozesse für SiO2, Si3N4, Al und Au
Status:
Voll funktionsfähig
![](/storages/mne-etit/_processed_/6/c/csm_56e68cad01486__7c5b35bd78.jpg)
Typ:
Entwicklerbank
Beschreibung:
Lackentwicklung (AZ-Lacke, PMMA etc.)
Status:
Voll funktionsfähig
![](/storages/mne-etit/_processed_/b/9/csm_56e68cad01504__a32879570f.jpg)
Typ:
Reinigungsbank
Beschreibung:
Waferreinigung SC1, SC2
Status:
Voll funktionsfähig
![](/storages/mne-etit/_processed_/6/7/csm_56e68cad01487__1c64a9a005.jpg)
Typ:
Rohrwaschanlage
Beschreibung:
Reinigung für Horizontalöfen
Status:
Voll funktionsfähig
![](/storages/mne-etit/_processed_/b/9/csm_56e68cad01504__f310819ab0.jpg)
Typ:
Spin Rinser
Beschreibung:
k.A.
Status:
Voll funktionsfähig
Reinraum
Typ:
Fan-Filter-Units
Beschreibung:
Laminar-Flow Bereiche an sämtlichen Arbeitsbereichen
Status:
Werden teilweise gewartet
![](/storages/mne-etit/_processed_/2/1/csm_56e68cad01652__aaf0708c59.jpg)
Hersteller/Typ:
DEOS OPEN 500EMS, Carrier 30RA160B, 158kW Kühlleistung,Vapac LE90 Elektrodenbefeuchter
Beschreibung:
Luftaufbereitung nach ISO 14644, 21,0°C, 45%rF, 12 PaÜberdruck
Status:
Voll funktionsfähig
![](/storages/mne-etit/_processed_/2/a/csm_56e68cad01670__51018cdb9d.jpg)
Typ:
SPS gestützte Sonderanfertigung
Beschreibung:
O2, N2, Ar, Cl2, SiCl4, H2, N2O, CF4, CHF3, SF6, NH3, SiH4/Ar, SiH2Cl2
Status:
Voll funktionsfähig
![](/storages/mne-etit/_processed_/0/7/csm_56e68cad01688__040b52fbd9.jpg)
Typ:
Reinstwasseranlage
Beschreibung:
Reinstwasser-Bereitstellung (UV behandelt)
Status:
Voll funktionsfähig
![Rückstände nach hBN Transfer Rückstände nach Transfer von hexagonalen Bor-Nitrid](/storages/mne-etit/_processed_/5/d/csm_STa3_8a4f6f7d16.jpg)
Sonstiges
![](/storages/mne-etit/_processed_/1/7/csm_56e68cad01744__00a4d6baec.jpg)
Typ:
Eigenentwicklung
Beschreibung:
Sample-To-Sample Transferprozesse von 2D-Nanomaterialien
Status:
Voll funktionsfähig
![](/storages/mne-etit/_processed_/f/e/csm_56e68cad01762__4e64f675ac.jpg)
Typ:
Wafersäge
Beschreibung:
Wafergröße 25.4 - 152.4 mm, Waferdicke 10 - 5000 um, Blattrotation 15000 - 45000 UPM
Status:
Voll funktionsfähig
![](/storages/mne-etit/_processed_/9/3/csm_56e68cad01834__cd14a2ca14.jpg)
Typ:
Schnüffellecksucher
Beschreibung:
Portable Leak Detector
Status:
Voll funktionsfähig
![](/storages/mne-etit/_processed_/f/4/csm_56e81370b5851__0f8126d90b.jpg)
Typ:
Schnüffellecksucher
Beschreibung:
Portable Helium Leak Detector
Status:
Voll funktionsfähig
![](/storages/mne-etit/_processed_/8/a/csm_56e68cad01708__53f8b0b2e3.jpg)
Typ:
Rapid Thermal Annealing
Beschreibung:
Rapid Thermal Annealing bis 1200°C in Ar, H2, N2Atmohsphäre, bis 6 Zoll
Status:
Wird gewartet
Hersteller/Typ:
Einzeldraht-Ultraschall-Bonder
Beschreibung:
k.A.
Status:
Voll funktionsfähig
Typ:
Flip Chip Bonder
Beschreibung:
C4 Galvanische Lotabscheidung (Bumps)
Status:
Im Aufbau
![](/storages/mne-etit/_processed_/b/f/csm_5f5b2fefdce70__172b97a6e1.jpg)
Typ:
Dickdraht Ultraschall-Bonder
Beschreibung:
Dickdraht (400μm) Ultraschall-Bonder
Status:
Voll funktionsfähig