Labortechnik und Anlagen
Analytik
Typ:
Ellipsometer
Beschreibung:
Schichtdickenmessung und Parameterextraktion
Status:
Voll funktionsfähig
Typ:
Rasterelektronenmikroskop (REM)
Beschreibung:
Bis zu 10 nm Auflösung, InLens und SE-Detektor
Status:
Voll funktionsfähig
Typ:
Rasterelektronenmikroskop (REM)
mit PointElectronic Elektronik Upgrade und Raith ELPHY Quantum
Beschreibung:
Bis zu 10 nm Auflösung mit einem 4k Imaging-System und Topologiedarstellung, InLens-, SE- und BSE-Detektor
Status:
Voll funktionsfähig
Typ:
Digitales Lichtmikroskop
Beschreibung:
Bis zu 5000-fache Vergrößerung
Status:
Voll funktionsfähig
Typ:
Systemmikroskop
Beschreibung:
Optisches UIS2/UIS (Universal Infinity System)-System
Status:
Voll funktionsfähig
Typ:
Konfokalmikroskop
Beschreibung:
Konfokales Lasermikroskop
Status:
Voll funktionsfähig
Typ:
Konfokalmikroskop
Beschreibung:
Konfokales Lasermikroskop
Status:
Voll funktionsfähig
Typ:
Profilometer
Beschreibung:
Oberflächenprofilometrie bis 262 µm
Status:
Voll funktionsfähig
Typ:
Strukturbreitenmesssystem
Beschreibung:
Laser-Autofokus
Status:
Voll funktionsfähig
Typ:
UV-VIS Spektrometer
Beschreibung:
Spektralphotometrie
Status:
Voll funktionsfähig
Typ:
EDX System
Beschreibung:
Low-KV EDX-System, ≤127eV @ MnKα, Detektion der Elemente ab Beryllium (Z=4)
Status:
Voll funktionsfähig
Typ:
JEOL JSM-IT800
Beschreibung:
Elektronenstrahllithografiesystem:
Deben Beam Blanker
Kleindiek Nanotechnik Stage
Xenos Pattern Generator
Status:
Voll funktionsfähig
Elektrische Messtechnik
Typ:
4-Spitzen-Messplatz
Beschreibung:
Flächenwiderstandsmessung auf Probenstücken und Wafern
Status:
Voll funktionsfähig
Typ:
Spitzenmessplatz
Beschreibung:
Lichtgeschützter Aufbau mit Vakuum-Chuck (8 Messnadeln)
Status:
Voll funktionsfähig
Typ:
Parameter Analyser
Beschreibung:
Precision Semiconductor Paramter Analyzer
Status:
Voll funktionsfähig
Typ:
Waferprober
Beschreibung:
Vollautomatischer Waferprober zur statistischen Vermessung von Bauelementeparametern
Status:
Voll funktionsfähig
Ätzanlagen
Typ:
Inductive Coupled Plasma (ICP), Reaktives Ionenätzen (RIE)
Beschreibung:
12 verschiedene Gaslinien, Fluor- Chlor und Brom-Prozesse, End-Point Detektion
Status:
Inbetriebnahme
Typ:
Inductive Coupled Plasma (ICP), Reaktives Ionenätzen (RIE)
Beschreibung:
Fluor- und Chlor-Prozesse
Status:
Inbetriebnahme
Typ:
Reaktives Ionenätzen (RIE)
Beschreibung:
Chlorprozesse: SF6, Cl2, CHF4, SiCl4, N2; Fluorprozesse:SF6, O2, Ar, CHF3, N2
Status:
Voll funktionsfähig
Typ:
Reaktives Ionenätzen (RIE)
Beschreibung:
Fluorprozesse: SF6, O2, Ar, CHF3, N2
Status:
Voll funktionsfähig
Typ:
Plasmaverascher
Beschreibung:
Ätzen im Sauerstoffplasma, maximal 8 Zoll Wafer
Status:
Voll funktionsfähig
Implantations- und Dotierungstechnologie
Typ:
Ionenimplanter
Beschreibung:
Dotierung mit einer Flächendosis von bis zu 10e16 cm-2 und max. 350 keV.
Verfügbare Ionenquelle: High Voltage Engineering Gasquelle SO-70 und Danfysik Feststoffquelle SO-55 für unter anderem B-, P-, As-Verbindungen, HVE Sputterquelle SO-90 für Al-, Cr, Fe, Ge und Er.
Status:
Voll funktionsfähig
Lithografie
Hersteller/Typ:
Optisches Belichtungssystem
Beschreibung:
Strukturweiten bis 0,6 um auf 4 Zoll-Substrat
Status:
Voll funktionsfähig
Typ:
Optisches Belichtungssystem
Beschreibung:
Strukturweiten bis 0,6 um auf 4 Zoll-Substrat
Status:
Voll funktionsfähig
Typ:
Elektronenstrahllithografie
Beschreibung:
Strukturgrößen bis zu 10 nm auf Die-Substraten, Laserinterferometer gesteuertes Stitching
Status:
Voll funktionsfähig
Typ:
Elektronenstrahllithografie
mit PointElectronic Elektronik Upgrade und Raith ELPHY Quantum Lithografie-Erweiterung
Beschreibung:
Strukturgrößen bis zu 10 nm auf Die-Substraten
Status:
Voll funktionsfähig
Typ:
Direktbelichter
Beschreibung:
300 nm minimale Strukturauflösung
Status:
Wird gewartet
Typ:
Belackungssystem, Spincoater
Beschreibung:
Bis 200 mm Wafer bei 0 - 12000 UPM
Status:
Voll funktionsfähig
Typ:
Belackungssystem Spincoater
Beschreibung:
Bis 200 mm Wafer bei 0 - 12000 UPM (Silikone)
Status:
Voll funktionsfähig
Schichterzeugung
Typ:
Plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung (PECVD)
Beschreibung:
Schichtenerzeugung mittels chemischer Gasphasenabscheidung
Status:
Voll funktionsfähig
Typ:
Low-pressure chemische Gasphasenabscheidung (LPCVD)
Beschreibung:
Abscheidung von Si3N4, PolySi, TEOS und Borphosphorsilicatglas
Status:
Wird gewartet
Typ:
Reaktive Magnetron-Sputteranlage
Beschreibung:
Physikalische Abscheidung von Schichten (u.a. Al, Ti [ TiN reaktiv], Ni, Si)
Status:
Voll funktionsfähig
Typ:
Reaktive Magnetron-Sputteranlage
Beschreibung:
Abscheidung von ITO, Lanthanhexaborid, Samarium, Yttrium und Bismuttellurid
Status:
Voll funktionsfähig
Typ:
Aufdampfanlage
Beschreibung:
Al- und Cr-Target vorhanden
Status:
Voll funktionsfähig
Typ:
Diffusions- und Oxidationsöfen
Beschreibung:
Oxidation (nass und trocken), H2 und N2 Temperung,LTO-Abscheidung
Status:
Voll funktionsfähig
Nassbänke
Typ:
Nassätzbank
Beschreibung:
Nassätzprozesse für SiO2, Si3N4, Al und Au
Status:
Voll funktionsfähig
Typ:
Entwicklerbank
Beschreibung:
Lackentwicklung (AZ-Lacke, PMMA etc.)
Status:
Voll funktionsfähig
Typ:
Reinigungsbank
Beschreibung:
Waferreinigung SC1, SC2
Status:
Voll funktionsfähig
Typ:
Rohrwaschanlage
Beschreibung:
Reinigung für Horizontalöfen
Status:
Voll funktionsfähig
Typ:
Spin Rinser
Beschreibung:
k.A.
Status:
Voll funktionsfähig
Reinraum
Typ:
Fan-Filter-Units
Beschreibung:
Laminar-Flow Bereiche an sämtlichen Arbeitsbereichen
Status:
Werden teilweise gewartet
Hersteller/Typ:
DEOS OPEN 500EMS, Carrier 30RA160B, 158kW Kühlleistung,Vapac LE90 Elektrodenbefeuchter
Beschreibung:
Luftaufbereitung nach ISO 14644, 21,0°C, 45%rF, 12 PaÜberdruck
Status:
Voll funktionsfähig
Typ:
SPS gestützte Sonderanfertigung
Beschreibung:
O2, N2, Ar, Cl2, SiCl4, H2, N2O, CF4, CHF3, SF6, NH3, SiH4/Ar, SiH2Cl2
Status:
Voll funktionsfähig
Typ:
Reinstwasseranlage
Beschreibung:
Reinstwasser-Bereitstellung (UV behandelt)
Status:
Voll funktionsfähig
Sonstiges
Typ:
Eigenentwicklung
Beschreibung:
Stereolithografie nach CAD-Modell für diePrototypenentwicklung
Status:
Voll funktionsfähig
Typ:
Eigenentwicklung
Beschreibung:
Sample-To-Sample Transferprozesse von 2D-Nanomaterialien
Status:
Voll funktionsfähig
Typ:
Wafersäge
Beschreibung:
Wafergröße 25.4 - 152.4 mm, Waferdicke 10 - 5000 um, Blattrotation 15000 - 45000 UPM
Status:
Voll funktionsfähig
Typ:
Schnüffellecksucher
Beschreibung:
Portable Leak Detector
Status:
Voll funktionsfähig
Typ:
Schnüffellecksucher
Beschreibung:
Portable Helium Leak Detector
Status:
Voll funktionsfähig
Typ:
Rapid Thermal Annealing
Beschreibung:
Rapid Thermal Annealing bis 1200°C in Ar, H2, N2Atmohsphäre, bis 6 Zoll
Status:
Wird gewartet
Hersteller/Typ:
Einzeldraht-Ultraschall-Bonder
Beschreibung:
k.A.
Status:
Voll funktionsfähig
Typ:
Flip Chip Bonder
Beschreibung:
C4 Galvanische Lotabscheidung (Bumps)
Status:
Im Aufbau
Typ:
Dickdraht Ultraschall-Bonder
Beschreibung:
Dickdraht (400μm) Ultraschall-Bonder
Status:
Voll funktionsfähig
Suche & Personensuche
Anfahrt & Lageplan
Der Campus der Technischen Universität Dortmund liegt in der Nähe des Autobahnkreuzes Dortmund West, wo die Sauerlandlinie A45 den Ruhrschnellweg B1/A40 kreuzt. Die Abfahrt Dortmund-Eichlinghofen auf der A45 führt zum Campus Süd, die Abfahrt Dortmund-Dorstfeld auf der A40 zum Campus-Nord. An beiden Ausfahrten ist die Universität ausgeschildert.
Direkt auf dem Campus Nord befindet sich die S-Bahn-Station „Dortmund Universität“. Von dort fährt die S-Bahn-Linie S1 im 20- oder 30-Minuten-Takt zum Hauptbahnhof Dortmund und in der Gegenrichtung zum Hauptbahnhof Düsseldorf über Bochum, Essen und Duisburg. Außerdem ist die Universität mit den Buslinien 445, 447 und 462 zu erreichen. Eine Fahrplanauskunft findet sich auf der Homepage des Verkehrsverbundes Rhein-Ruhr, außerdem bieten die DSW21 einen interaktiven Liniennetzplan an.
Zu den Wahrzeichen der TU Dortmund gehört die H-Bahn. Linie 1 verkehrt im 10-Minuten-Takt zwischen Dortmund Eichlinghofen und dem Technologiezentrum über Campus Süd und Dortmund Universität S, Linie 2 pendelt im 5-Minuten-Takt zwischen Campus Nord und Campus Süd. Diese Strecke legt sie in zwei Minuten zurück.
Vom Flughafen Dortmund aus gelangt man mit dem AirportExpress innerhalb von gut 20 Minuten zum Dortmunder Hauptbahnhof und von dort mit der S-Bahn zur Universität. Ein größeres Angebot an internationalen Flugverbindungen bietet der etwa 60 Kilometer entfernte Flughafen Düsseldorf, der direkt mit der S-Bahn vom Bahnhof der Universität zu erreichen ist.