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Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

Aktuelle Projekte


EFRE.NRW 2021-2027

Memristor-basierte Quantenstrukturen (MemQus)

Supraleitende Tunnelbarrieren © LS MNE ​/​ TU Dortmund

Die Fertigung von supraleitenden Tunnelbarrieren mit geringen Fertigungstoleranzen für Anwendungen in der Quantenelektronik ist eine technische Herausforderung. Das Projekt MemQus ist eines von 15 Projekten, dass für 18 Monate Rahmen des EFRE-Wettbewerbs „NRW-Patent-Validierung“ gefördert wird. Ziel des Projekts ist die Erprobung eines innovativen Ansatzes, auf der Basis von memristiv-schaltenden Oxiden neuartige rekonfigurierbare supraleitende Tunnelbarrieren mit deutlich einfacheren und kostengünstigeren Fertigungsprozessen herzustellen.

EFRE-Wettbewerb „NRW-Patent-Validierung“

  • Titel: Memristor-basierte Quantenstrukturen (MemQus)
  • Projektnummer: IN-PV-2-011
  • Projektlaufzeit: Ab voraussichtlich 2024
  • Finanzierung: EFRE/JTF-Programm NRW 2021-2027
Gefördert durch: Ministerium für Wirtschaft, Industrie, Klimaschutz und Energie des Landes Nordrhein-Westfalen
Kofinanziert von der Europäischen Union

DFG Projekt

Graphen-basierte Triple-Gate-Plattformen für neuartige Tunnelfeldeffekt-Transistoren

Im Vergleich zu konventionellen Feldeffekttransistoren (FETs) ist es mit Hilfe von Tunnel-FETs (TFETs) prinzipiell möglich, Transistoren mit kleineren inversen Sub-Threshold-Slopes als 60 mV/Dekade bei Raumtemperatur herzustellen. Dadurch ergibt sich das Potential besonders niedriger Verlustleistungsaufnahmen. Idealerweise basiert der Ladungstransport in TFETs ausschließlich auf Band-zu-Band-Tunneln und der Energiefilterung im Boltzmann-Regime. Durch Anlegen geeigneter Spannung an nah beieinander liegenden vergrabenen Gate-Elektroden ist es möglich, variable Bandverläufe längs eines Halbleiterkanals elektrostatisch zu kontrollieren. Durch die Bandverläufe wird die Tunnelwahrscheinlichkeit beeinflusst. Allerdings ist die Fertigung einer solchen planaren Plattform mit vergrabenen und voneinander isolierten Gate-Kontakten (buried triple-gate, BTG) sehr aufwändig. Im Rahmen dieses Projekts soll ein neues Fertigungskonzept auf der Basis von Graphenlagen untersucht werden. Der große Vorteil des Konzepts ist, dass die Graphenlagen nahezu atomar dünn sind und so die Fertigung vertikaler sehr dünner Graphen/Oxid-Heterostrukturen ermöglichen. Das vorgestellte Konzept hat das Potential, scharfe elektrostatische Dotierprofile zu erzeugen, die ihrerseits zu scharfen Bandübergängen führen. Dies führt zu einer hohen Band-zu-Band-Tunnelwahrscheinlichkeit und damit einem steilen Anstieg des inversen Sub-Threshold-Slopes.

Graphen-basierte Plattform zur elektrostatischen Dotierung von niederdimensionalen Materialien © LS MNE ​/​ TU Dortmund
Oben: Graphen-basierte Plattform zur elektrostatischen Dotierung von niederdimensionalen Materialien. Unten: Elektronenmikroskopisches Bild eines Kohlenstoffnanoröhrchens auf einer Triple-Gate-Struktur.

Im Rahmen des Projekts sollen dabei Proof-of-Concept TFETs auf der Basis von niederdimensionalem WS2 hergestellt werden. Die Proben werden unteranderem mittels eines fortgeschrittenen und eigens dafür weiterentwickelten Analyseverfahren, der hochauflösenden in operando Photoemissionselektronenmikroskopie (PEEM), untersucht. Weitere Analyseverfahren umfassen 2D Raman Spektroskopie, in situ Röntgenphotoelektronenspektroskopie (XPS) und die elektrische Charakterisierung in einem Temperaturbereich von 8 K bis 500 K. Das vorgeschlagene Konzept ist vielseitig einsetzbar und eignet sich zur Integration einer Vielzahl von 1D- und 2D-Halbleitermaterialien.

 

DFG-Sachbeihilfe

  • Titel: Graphen-basierte Triple-Gate-Plattformen für neuartige Tunnelfeldeffekt-Transistoren
  • Projektnummer: 524569125
  • Projektlaufzeit: 01.10.2023 - 30.09.2026
  • Finanzierung: Individuelle Forschungsbeihilfe

Kooperationsprojekt mit Dr. G. Zamborlini (Cinchetti Group, Fakultät für Physik)

 

DFG Deutsche Forschungsgemeinschaft
Lehrstuhl für Mikro- und Nanoelektronik

DFG Projekt

Memristiv-programmierbare Transistoren

Die heute dominierende Flash-Speicher-Technologie basiert auf Floating-Gate Transistoren. Beim Design des Gate-Dielektrikums von Floating-Gate-Transistoren muss ein Trade-Off zwischen der Fähigkeit eines schnellen Schreibzugriffs und einer langen Zustand-Stabilität (state retention) eingegangen werden. Kürzlich haben wir einen Prototypen eines neuartigen programmierbaren Transistors, den memristively programmable transistor (memTR), vorgestellt. Da der Zustand bei memTRs durch nanoionisch Prozesse und nicht durch das Speichern von Ladung kodiert wird, ergibt sich das Potential, neuartige programmierbare Transistoren mit schnellem Schreibzugriff, langer Zustands-Stabilität und gleichzeitig hoher Programmier-Zyklenfestigkeit entwickeln zu können. Bei einem memTR handelt es sich im Wesentlichen um eine innovative Kombination aus einem Transistor und einem auf dem Gate integrierten resistiven Schalter (oft auch memristiver Schalter oder Memristor genannt). Diese Bauelemente weisen einen schnellen und energiesparenden Schreib- und Lesezugriff auf. Dank ihres analogen und nicht-linearen Verhaltens werden sie darüber hinaus auch vermehrt im Bereich Neuromorphik eingesetzt. Im Rahmen dieses Projekts sollen die ersten Proof-of-Concept Transistoren hinsichtlich ihrer elektrischen Performance (insb. Programmierbarkeit und Programmier-Geschwindigkeit) genauer untersucht und optimiert werden. Hierfür werden vornehmlich BEOL-kompatible Herstellungsprozesse eingesetzt. Die gefertigten Bauelemente werden dabei eingehend elektrisch, spektroskopisch und mikroskopisch hinsichtlich ihrer fundamentalen Funktionalität und einer weiteren Bauteil-Optimierung untersucht. Aufbauend auf diesen Arbeiten werden memTRs für den Einsatz in neuartigen Anwendungen im Bereich der Neuromorphik experimentell untersucht.

© LS MNE ​/​ TU Dortmund

DFG-Sachbeihilfe

  • Titel: Memristiv-programmierbare Transistoren
  • Projektnummer: 521341740
  • Projektlaufzeit: 01.05.2023 - 30.04.2026
  • Finanzierung: Individuelle Forschungsbeihilfe
DFG Deutsche Forschungsgemeinschaft
Lehrstuhl für Mikro- und Nanoelektronik

DFG Projekt

Memristor basierte Sensoren und Metrologie

Wasserstoff-Gassensoren haben eine hohe technologische Bedeutung im Automotive Bereich. Die Dünnschicht-Technik ermöglicht die kostengünstige Massenproduktion von Sensoren mit etablierten Prozessen, die auch im Bereich der Mikro- und Nanoelektronik eingesetzt werden. Nachteile von Dünnschicht-Gassensoren insbesondere für Wasserstoff sind Drift- und Degradationseffekte, die einen Einsatz in sicherheitsrelevanten Anwendungen bislang einschränken. In diesem Projekt wird die Entwicklung eines neuartigen Sensortyps auf der Basis memristiver Bauelemente vorgestellt.

Der resistive Zustand eines memristiven Systems lässt sich durch Spannungspulse gezielt zwischen mindestens zwei Werten (hoch- und niederohmig) einstellen. In der Vergangenheit konnte gezeigt werden, dass die dabei zugrundeliegenden Schaltmechanismen auf komplexen Redox-Vorgängen auf der Nanoskala basieren und sich memristive Systeme in starker Wechselwirkung mit der Umwelt befinden. Diese elektrochemischen Wechselwirkungen sollen von "Memristive Sensing Elements" (MSEs) genutzt werden, um neuartige Dünnschicht-Gassensoren zu entwickeln. Diese Bauelemente haben das Potential, dass die Sensorfunktionalität memristiv kalibriert und während des Betriebs im Falle von Drift- und Degradationserscheinungen stets neuprogrammiert werden kann.

Functionalized vertical MSE device © LS MNE ​/​ TU Dortmund
Vertical functionalized MSE-device © LS MNE ​/​ TU Dortmund
3D view and cross-sectional view of a vertical MSE device using a crossbar structure including a TEM-image of an actual device

Im Rahmen dieses Projekts sollen MSEs entwickelt und charakterisiert werden. Hierzu werden mittels aufwändiger elektrischer, spektroskopischer und mikroskopischer ex situ und in situ Messverfahren fundamentale physikalische und elektrochemische Vorgänge untersucht. Aufbauend darauf werden bestehende physikochemische Modelle memristiver Systeme angepasst und weiterentwickelt. Die Erkenntnisse werden genutzt, um kostengünstige memristive Sensorelemente für die schnelle und reproduzierbare Detektion von Wasserstoff zu optimieren.

DFG-Sachbeihilfe

  • Titel: Memristor based sensors and metrology
  • Project Number: 492026895
  • Project Duration: 01.01.2022 - 31.12.2024
  • Funding: Individual Research Grant

Für weitere Informationen folgen Sie bitte dem Link: 

DFG GEPRIS

DFG Deutsche Forschungsgemeinschaft
Lehrstuhl für Mikro- und Nanoelektronik

Euramet Project

MEMQuD: Memristive devices as quantum standard for nanometrology

MEMQuD: Memristive devices as quantum standard for nanometrology
EMPIR EURAMET Logo

Die Rückführung physikalischer Größen auf Naturkonstanten ist Bestandteil aktueller Forschung im Bereich der Standardisierung und Normung. In Memristiven Systemen lassen sich quantisierte Leitfähigkeitswerte auf der Basis materialunabhängiger Konstanten (Elementarladung und Planck-Konstante) bei Raumtemperatur gezielt steuern. Im Rahmen dieses Projekts sollen diese Quanteneffekte im Hinblick für kostengünstige On-Chip Selbstkalibrierungs-Referenzen erforscht werden.

  • Project Number: 20FUN06
  • Project Duration: 2021 - 2024
  • Funding: Unfunded Partner

Für weitergehende Informationen folgen Sie bitte dem Link:

MEMQuD