Aktuelle Projekte
Die Fertigung von supraleitenden Tunnelbarrieren mit geringen Fertigungstoleranzen für Anwendungen in der Quantenelektronik ist eine technische Herausforderung.
Ziel ist die Weiterentwicklung numerischer Methoden zur Analyse zeitabhängiger elektromagnetischer Felder unter dem Aspekt der Quantisierung.
Im Vergleich zu konventionellen Feldeffekttransistoren (FETs) ist es mit Hilfe von Tunnel-FETs (TFETs) prinzipiell möglich, Transistoren mit kleineren inversen Sub-Threshold-Slopes als 60 mV/Dekade bei Raumtemperatur herzustellen.
Im Rahmen dieses Projekts sollen Proof-of-Concept Transistoren hinsichtlich ihrer elektrischen Performance (insb. Programmierbarkeit und Programmier-Geschwindigkeit) genauer untersucht und optimiert werden.
Es soll ein Transportmodell entwickelt werden, das die Modellierungslücke zwischen den in der Physik vorherrschenden atomistischen Methoden und den in der Elektronik vorherrschenden konventionellen Methoden aus schaltungstechnischer Sicht schließt, so dass wesentliche Eigenschaften des Wärmetransports in integrierten Schaltungen effizient erfasst werden können. Es sollen ballistische Prozesse und Diffusionsprozesse adäquat beschrieben werden, mit denen der zeitabhängige Wärmetransport parallel ("in-flow") oder senkrecht ("out-flow") zu dünnen Schichtstrukturen charakterisiert werden kann.
Im Rahmen dieses Antrags wird die Beschaffung eines DC/RF Sputter-Systems mit konfokal angeordneten Kathoden zur Durchführung von innovativen anwendungs- und grundlagenorientierten Forschungsprojekten beantragt.
Im Rahmen innovativer Forschungsprojekte sollen unter anderem die chemische Zusammensetzung und Kristallinität von memristiven Übergangsmetalloxiden für Neuromorphik-Anwendungen sowie räumlich hochaufgelöst die Topografie und Defekte von 2D-Materialien für den Einsatz in neuartigen Tunnelfeldeffekt-Transistoren untersucht werden.
Im Rahmen des Projekts wurde eine Anlage zur thermischen Atomlagen-Deposition (Atomic Layer Deposition, ALD) für Substratgrößen bis zu 200 mm beschafft. Mit den hierdurch zur Verfügung stehenden Prozessen sollen insbesondere funktionale (z.B. multiferroische oder memristive) Oxide und Nitride und katalytisch wirksame Metalle abgeschieden werden.
Im Rahmen dieses Projekts sollen MSEs entwickelt und charakterisiert werden. Hierzu werden mittels aufwändiger elektrischer, spektroskopischer und mikroskopischer ex situ und in situ Messverfahren fundamentale physikalische und elektrochemische Vorgänge untersucht.
Im Rahmen dieses Projekts sollen diese Quanteneffekte im Hinblick für kostengünstige On-Chip Selbstkalibrierungs-Referenzen erforscht werden.
Ziel des Vorhabens ist die Entwicklung eines diskontinuierlichen Galerkin-Verfahrens zur Lösung der Liouville-von-Neumann-Gleichung derart, dass eine Erweiterung auch auf andere wichtige Anwendungen wie zum Beispiel der Spintronik oder des Phononentransports möglich ist.